7abb6ad69c85c9517f6efa07d0d4d455

MJ11032, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 120 В

1.600,00 руб.

x 1.600,00 = 1.600,00
Артикул: 1129887 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.600,00руб.1.488,00руб.1.408,00руб.1.360,00руб.1.312,00руб.1.288,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.808,00руб.1.632,00руб.1.600,00руб.1.536,00руб.1.488,00руб.1.456,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.952,00руб.1.760,00руб.1.712,00руб.1.664,00руб.1.568,00руб.1.472,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.904,00руб.1.712,00руб.1.680,00руб.1.616,00руб.1.552,00руб.1.464,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.720,00руб.2.448,00руб.2.400,00руб.2.304,00руб.2.224,00руб.2.032,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.704,00руб.2.432,00руб.2.380,80руб.2.288,00руб.2.208,00руб.2.016,00руб.

Характеристики

MJ11032, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 120 В The MJ11032 is a 120V Silicon NPN Complementary Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

• High DC current gain
• Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
• High gain Darlington performance
• Multicomp products are rated 4.6 out of 5 stars
• 12-month limited warranty *view Terms & Conditions for details
• 96% of customers would recommend to a friend

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

200 C
Количество Выводов

2вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

120В
Стандарт Корпуса Транзистора

to-3
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

50А
DC Усиление Тока hFE

1000hFE