1df17dcf75263efad08213976c47c7cd

MJ10012, Биполярный транзистор, NPN, 500 В, 175 Вт, 10 А, 300 hFE

1.360,00 руб.

x 1.360,00 = 1.360,00
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.360,00руб.1.264,80руб.1.196,80руб.1.156,00руб.1.115,20руб.1.094,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.536,80руб.1.387,20руб.1.360,00руб.1.305,60руб.1.264,80руб.1.237,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.659,20руб.1.496,00руб.1.455,20руб.1.414,40руб.1.332,80руб.1.251,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.618,40руб.1.455,20руб.1.428,00руб.1.373,60руб.1.319,20руб.1.244,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.312,00руб.2.080,80руб.2.040,00руб.1.958,40руб.1.890,40руб.1.727,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.298,40руб.2.067,20руб.2.023,68руб.1.944,80руб.1.876,80руб.1.713,60руб.

Характеристики

MJ10012, Биполярный транзистор, NPN, 500 В, 175 Вт, 10 А, 300 hFEThe MJ10012 is a 400V Silicon NPN Darlington Transistor designed for high voltage, high speed and power switching in inductive circuits where fall time is critical. The NTE98 is particularly suited for line operated switch mode applications.

• HV Darlington power amplifier/switch

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

200 C

Количество Выводов

2вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

500в

Стандарт Корпуса Транзистора

to-3

Рассеиваемая Мощность

175Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

10а

DC Усиление Тока hFE

300hFE