MAT14ARZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 30 мА

1.140,00 руб.

Артикул: 1129041 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №1	10-12 дней	1.140,00руб.	1.060,20руб.	1.003,20руб.	969,00руб.	934,80руб.	917,70руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №2	7-10 дней	1.288,20руб.	1.162,80руб.	1.140,00руб.	1.094,40руб.	1.060,20руб.	1.037,40руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №3	7-10 дней	1.390,80руб.	1.254,00руб.	1.219,80руб.	1.185,60руб.	1.117,20руб.	1.048,80руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №4	7-10 дней	1.356,60руб.	1.219,80руб.	1.197,00руб.	1.151,40руб.	1.105,80руб.	1.043,10руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №5	5 дней	1.938,00руб.	1.744,20руб.	1.710,00руб.	1.641,60руб.	1.584,60руб.	1.447,80руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №6	6 дней	1.926,60руб.	1.732,80руб.	1.696,32руб.	1.630,20руб.	1.573,20руб.	1.436,40руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MAT14ARZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 30 мА The MAT14ARZ is a 40V quad monolithic NPN Transistor that offers excellent parametric matching for precision amplifier and nonlinear circuit applications. Performance characteristics of the MAT14ARZ includes high gain (300 minimum) over a wide range of collector current, low noise (3nV/vHz maximum at 100Hz, IC = 1mA) and excellent logarithmic conformance. The MAT14ARZ also features a low offset voltage of 100µV typical and tight current gain matching to within 4%. Each transistor of the MAT14ARZ is individually tested to data sheet specifications. For matching parameters (offset voltage, input offset current and gain match), each of the dual transistor combinations are verified to meet stated limits. Device performance is guaranteed at an ambient temperature of 25 C and over the industrial temperature range. The long-term stability of matching parameters is guaranteed by the protection diodes across the base emitter junction of each transistor.

• 400µV Maximum low offset voltage
• 300 Minimum high current gain
• 4% Maximum excellent current gain match
• Low voltage noise density at 100Hz, 1mA 3nV/vHz maximum
• Excellent log conformance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	85 C
Количество Выводов	14вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	40В
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	30мА
DC Усиление Тока hFE	300hFE