3

KSC5502DTM, Биполярный транзистор, высоковольтный, NPN

84,00 руб.

x 84,00 = 84,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней84,00руб.78,12руб.75,60руб.73,92руб.68,88руб.67,20руб.65,52руб.60,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней152,04руб.139,44руб.136,92руб.133,56руб.124,32руб.121,80руб.118,44руб.106,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней196,56руб.181,44руб.177,24руб.173,04руб.161,28руб.157,08руб.153,72руб.137,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней100,80руб.92,40руб.90,72руб.88,20руб.82,32руб.80,64руб.78,12руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней194,04руб.178,92руб.174,72руб.170,52руб.165,48руб.159,60руб.151,20руб.136,08руб.

Характеристики

KSC5502DTM, Биполярный транзистор, высоковольтный, NPN The KSC5502DTM is a NPN triple diffused planar Silicon Transistor offers 1200V collector base voltage and 2A collector current. It is suitable for high voltage power switch switching applications.

• Wide safe operating area
• Built-in free-wheeling diode
• Small variance in storage time
• Suitable for electronic ballast application

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

50Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

DC Усиление Тока hFE

15hFE

Частота Перехода ft

11МГц