61

IXYX100N120B3, БТИЗ транзистор, 225 А, 2.2 В, 1.15 кВт

1.530,00 руб.

x 1.530,00 = 1.530,00
Артикул: 1136214 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.530,00руб.1.422,90руб.1.346,40руб.1.300,50руб.1.254,60руб.1.231,65руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.728,90руб.1.560,60руб.1.530,00руб.1.468,80руб.1.422,90руб.1.392,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.866,60руб.1.683,00руб.1.637,10руб.1.591,20руб.1.499,40руб.1.407,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.820,70руб.1.637,10руб.1.606,50руб.1.545,30руб.1.484,10руб.1.399,95руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.601,00руб.2.340,90руб.2.295,00руб.2.203,20руб.2.126,70руб.1.943,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.585,70руб.2.325,60руб.2.276,64руб.2.187,90руб.2.111,40руб.1.927,80руб.

Характеристики

IXYX100N120B3, БТИЗ транзистор, 225 А, 2.2 В, 1.15 кВт IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

PLUS247
Рассеиваемая Мощность

1.15кВт
DC Ток Коллектора

225А