10

IXYH20N120C3D1, БТИЗ транзистор, 36 А, 4 В, 230 Вт, 1.2 кВ

1.050,00 руб.

x 1.050,00 = 1.050,00
Артикул: 1136212 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.050,00руб.976,50руб.924,00руб.892,50руб.861,00руб.845,25руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.186,50руб.1.071,00руб.1.050,00руб.1.008,00руб.976,50руб.955,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.281,00руб.1.155,00руб.1.123,50руб.1.092,00руб.1.029,00руб.966,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.249,50руб.1.123,50руб.1.102,50руб.1.060,50руб.1.018,50руб.960,75руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.785,00руб.1.606,50руб.1.575,00руб.1.512,00руб.1.459,50руб.1.333,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.774,50руб.1.596,00руб.1.562,40руб.1.501,50руб.1.449,00руб.1.323,00руб.

Характеристики

IXYH20N120C3D1, БТИЗ транзистор, 36 А, 4 В, 230 Вт, 1.2 кВ IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-247AD
Рассеиваемая Мощность

230Вт
DC Ток Коллектора

36А