eee8886cbd417d6dd92b138a89d8a47d

IXTK200N10P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 200 А

1.160,00 руб.

x 1.160,00 = 1.160,00
Артикул: 1134651 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.160,00руб.1.078,80руб.1.020,80руб.986,00руб.951,20руб.933,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.310,80руб.1.183,20руб.1.160,00руб.1.113,60руб.1.078,80руб.1.055,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.415,20руб.1.276,00руб.1.241,20руб.1.206,40руб.1.136,80руб.1.067,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.380,40руб.1.241,20руб.1.218,00руб.1.171,60руб.1.125,20руб.1.061,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.972,00руб.1.774,80руб.1.740,00руб.1.670,40руб.1.612,40руб.1.473,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.960,40руб.1.763,20руб.1.726,08руб.1.658,80руб.1.600,80руб.1.461,60руб.

Характеристики

IXTK200N10P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 200 А The IXTK200N10P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode standard Power MOSFET offers low reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.

• International standard packages
• Unclamped inductive switching (UIS) rating
• Low package inductance — Easy to drive and to protect
• Avalanche rating
• Easy to mount
• Space saving

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-264
Рассеиваемая Мощность

800Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

200А