IXTH24N50, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 500 В, 230 мОм

950,00 руб.

Артикул: 1134644 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	950,00руб.	883,50руб.	855,00руб.	836,00руб.	807,50руб.	760,00руб.	741,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.786,00руб.	1.643,50руб.	1.615,00руб.	1.577,00руб.	1.520,00руб.	1.434,50руб.	1.396,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.814,50руб.	1.672,00руб.	1.634,00руб.	1.596,00руб.	1.520,00руб.	1.444,00руб.	1.415,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	1.140,00руб.	1.045,00руб.	1.026,00руб.	997,50руб.	969,00руб.	912,00руб.	883,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.653,00руб.	1.520,00руб.	1.482,00руб.	1.453,50руб.	1.406,00руб.	1.320,50руб.	1.282,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	1.035,50руб.	959,50руб.	931,00руб.	912,00руб.	883,50руб.	826,50руб.	807,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IXTH24N50, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 500 В, 230 мОм The IXTH24N50 is a MegaMOS™ single N-channel standard Power MOSFET offers fast switching time and high power density. It is suitable for switch-mode and resonant-mode power supplies and DC choppers.

• International standard packages
• Low RDS (ON) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low package inductance (

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	to-247
Рассеиваемая Мощность	300Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	500в
Непрерывный Ток Стока	24А