aa6ac53c91af764de4852293bfcabb04

IXKR25N80C, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 800 В, 150 мОм

1.530,00 руб.

x 1.530,00 = 1.530,00
Артикул: 1132626 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.530,00руб.1.422,90руб.1.346,40руб.1.300,50руб.1.254,60руб.1.231,65руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.728,90руб.1.560,60руб.1.530,00руб.1.468,80руб.1.422,90руб.1.392,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.866,60руб.1.683,00руб.1.637,10руб.1.591,20руб.1.499,40руб.1.407,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.820,70руб.1.637,10руб.1.606,50руб.1.545,30руб.1.484,10руб.1.399,95руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.601,00руб.2.340,90руб.2.295,00руб.2.203,20руб.2.126,70руб.1.943,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.585,70руб.2.325,60руб.2.276,64руб.2.187,90руб.2.111,40руб.1.927,80руб.

Характеристики

IXKR25N80C, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 800 В, 150 мОм The IXKR25N80C is a CoolMOS™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS) and low ON-resistance.

• ISOPLUS247™ package with DCB base
• Electrical isolation towards the heat sink
• Low coupling capacitance to the heat sink for reduced EMI
• High power dissipation
• High temperature cycling capability of chip on DCB
• JEDEC TO-247AD compatible
• Easy clip assembly
• Fast CoolMOS™ power MOSFET 3rd generation
• High blocking capability
• Low thermal resistance due to reduced chip thickness
• Enhanced total power density
• Low RDS (ON)
• High VDSS

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

ISOPLUS-247
Рассеиваемая Мощность

250Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

25А