Заполнитель

IXFT18N100Q3, МОП-транзистор, класс Q3, N Канал, 18 А, 1 кВ

1.430,00 руб.

x 1.430,00 = 1.430,00
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.430,00руб.1.329,90руб.1.258,40руб.1.215,50руб.1.172,60руб.1.151,15руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.615,90руб.1.458,60руб.1.430,00руб.1.372,80руб.1.329,90руб.1.301,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.744,60руб.1.573,00руб.1.530,10руб.1.487,20руб.1.401,40руб.1.315,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.701,70руб.1.530,10руб.1.501,50руб.1.444,30руб.1.387,10руб.1.308,45руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.431,00руб.2.187,90руб.2.145,00руб.2.059,20руб.1.987,70руб.1.816,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.416,70руб.2.173,60руб.2.127,84руб.2.044,90руб.1.973,40руб.1.801,80руб.

Характеристики

IXFT18N100Q3, МОП-транзистор, класс Q3, N Канал, 18 А, 1 кВ N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-268

Рассеиваемая Мощность

830Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1кВ

Непрерывный Ток Стока

18А