673744dae2f458fd0124647841b0c7d4

IXFR200N10P, МОП-транзистор, N Канал, 133 А, 100 В, 9 мОм

1.170,00 руб.

x 1.170,00 = 1.170,00
Артикул: 1134642 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.170,00руб.1.088,10руб.1.029,60руб.994,50руб.959,40руб.941,85руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.322,10руб.1.193,40руб.1.170,00руб.1.123,20руб.1.088,10руб.1.064,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.427,40руб.1.287,00руб.1.251,90руб.1.216,80руб.1.146,60руб.1.076,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.392,30руб.1.251,90руб.1.228,50руб.1.181,70руб.1.134,90руб.1.070,55руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.989,00руб.1.790,10руб.1.755,00руб.1.684,80руб.1.626,30руб.1.485,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.977,30руб.1.778,40руб.1.740,96руб.1.673,10руб.1.614,60руб.1.474,20руб.

Характеристики

IXFR200N10P, МОП-транзистор, N Канал, 133 А, 100 В, 9 мОм The IXFR200N10P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switched-mode and resonant-mode power supplies.

• Silicon chip on direct-copper-bond substrate — High power dissipation and isolated mounting surface
• Low drain to tab capacitance (

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

ISOPLUS-247
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

133А