92ffab8e106471c4f3b56aaf31e069bb

IXFN27N80Q, МОП-транзистор, N Канал, 27 А, 800 В, 320 мОм

3.210,00 руб.

x 3.210,00 = 3.210,00
Артикул: 1132612 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней3.210,00руб.2.985,30руб.2.824,80руб.2.728,50руб.2.632,20руб.2.584,05руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней3.627,30руб.3.274,20руб.3.210,00руб.3.081,60руб.2.985,30руб.2.921,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней3.916,20руб.3.531,00руб.3.434,70руб.3.338,40руб.3.145,80руб.2.953,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней3.819,90руб.3.434,70руб.3.370,50руб.3.242,10руб.3.113,70руб.2.937,15руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней5.457,00руб.4.911,30руб.4.815,00руб.4.622,40руб.4.461,90руб.4.076,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней5.424,90руб.4.879,20руб.4.776,48руб.4.590,30руб.4.429,80руб.4.044,60руб.

Характеристики

IXFN27N80Q, МОП-транзистор, N Канал, 27 А, 800 В, 320 мОм The IXFN27N80Q is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Single Die Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.

• International standard package
• miniBLOC with aluminium nitride isolation
• UL94V-0 Flammability rating
• Unclamped inductive switching (UIS) rated
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
• High dV/dt and low trr

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

isotop
Рассеиваемая Мощность

520Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

27А