70b71bac316130fa66a6497c6b301c6c

IXFN230N10, МОП-транзистор, N Канал, 230 А, 100 В, 6 мОм

3.840,00 руб.

x 3.840,00 = 3.840,00
Артикул: 1134634 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней3.840,00руб.3.571,20руб.3.379,20руб.3.264,00руб.3.148,80руб.3.091,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней4.339,20руб.3.916,80руб.3.840,00руб.3.686,40руб.3.571,20руб.3.494,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней4.684,80руб.4.224,00руб.4.108,80руб.3.993,60руб.3.763,20руб.3.532,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней4.569,60руб.4.108,80руб.4.032,00руб.3.878,40руб.3.724,80руб.3.513,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней6.528,00руб.5.875,20руб.5.760,00руб.5.529,60руб.5.337,60руб.4.876,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней6.489,60руб.5.836,80руб.5.713,92руб.5.491,20руб.5.299,20руб.4.838,40руб.

Характеристики

IXFN230N10, МОП-транзистор, N Канал, 230 А, 100 В, 6 мОм The IXFN230N10 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.

• International standard packages
• MiniBLOC with aluminium nitride isolation
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche rating
• Guaranteed FBSOA
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space saving

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

isotop
Рассеиваемая Мощность

700Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

230А