58c7eb160b6ecfd58aa5cfe9bb85992f

IXFK90N20, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 200 В, 23 мОм

1.740,00 руб.

x 1.740,00 = 1.740,00
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.740,00руб.1.618,20руб.1.531,20руб.1.479,00руб.1.426,80руб.1.400,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.966,20руб.1.774,80руб.1.740,00руб.1.670,40руб.1.618,20руб.1.583,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.122,80руб.1.914,00руб.1.861,80руб.1.809,60руб.1.705,20руб.1.600,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.070,60руб.1.861,80руб.1.827,00руб.1.757,40руб.1.687,80руб.1.592,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.958,00руб.2.662,20руб.2.610,00руб.2.505,60руб.2.418,60руб.2.209,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.940,60руб.2.644,80руб.2.589,12руб.2.488,20руб.2.401,20руб.2.192,40руб.

Характеристики

IXFK90N20, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 200 В, 23 мОм The IXFK90N20 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.

• International standard packages
• MiniBLOC with aluminium nitride isolation
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped inductive switching (UIS) rating
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space saving
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-264

Рассеиваемая Мощность

500Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

200В

Непрерывный Ток Стока

90А