37d9677ab2c743220e79f2eefffcbcd5

IXFK64N50P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 64 А, 500 В

1.150,00 руб.

x 1.150,00 = 1.150,00
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.150,00руб.1.069,50руб.1.012,00руб.977,50руб.943,00руб.925,75руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.299,50руб.1.173,00руб.1.150,00руб.1.104,00руб.1.069,50руб.1.046,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.403,00руб.1.265,00руб.1.230,50руб.1.196,00руб.1.127,00руб.1.058,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.368,50руб.1.230,50руб.1.207,50руб.1.161,50руб.1.115,50руб.1.052,25руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.955,00руб.1.759,50руб.1.725,00руб.1.656,00руб.1.598,50руб.1.460,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.943,50руб.1.748,00руб.1.711,20руб.1.644,50руб.1.587,00руб.1.449,00руб.

Характеристики

IXFK64N50P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 64 А, 500 В The IXFK64N50P is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.

• International standard packages
• Low Qg
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space saving
• Avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-264

Рассеиваемая Мощность

830Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

500в

Непрерывный Ток Стока

64А