Заполнитель

IXFH50N60P3, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 600 В, 0.16 Ом

730,00 руб.

x 730,00 = 730,00
Артикул: 1132602 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней730,00руб.678,90руб.657,00руб.642,40руб.620,50руб.584,00руб.569,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.372,40руб.1.262,90руб.1.241,00руб.1.211,80руб.1.168,00руб.1.102,30руб.1.073,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.394,30руб.1.284,80руб.1.255,60руб.1.226,40руб.1.168,00руб.1.109,60руб.1.087,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней876,00руб.803,00руб.788,40руб.766,50руб.744,60руб.700,80руб.678,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.270,20руб.1.168,00руб.1.138,80руб.1.116,90руб.1.080,40руб.1.014,70руб.985,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней795,70руб.737,30руб.715,40руб.700,80руб.678,90руб.635,10руб.620,50руб.

Характеристики

IXFH50N60P3, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 600 В, 0.16 Ом The IXFH50N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

• Avalanche rated
• Low inductance
• High power density
• Easy to mount
• Space-savings

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

1.04Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

50А