Заполнитель

IXFH21N50, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 500 В, 250 мОм

1.030,00 руб.

x 1.030,00 = 1.030,00
Артикул: 1134613 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.030,00руб.957,90руб.906,40руб.875,50руб.844,60руб.829,15руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.163,90руб.1.050,60руб.1.030,00руб.988,80руб.957,90руб.937,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.256,60руб.1.133,00руб.1.102,10руб.1.071,20руб.1.009,40руб.947,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.225,70руб.1.102,10руб.1.081,50руб.1.040,30руб.999,10руб.942,45руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.751,00руб.1.575,90руб.1.545,00руб.1.483,20руб.1.431,70руб.1.308,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.740,70руб.1.565,60руб.1.532,64руб.1.472,90руб.1.421,40руб.1.297,80руб.

Характеристики

IXFH21N50, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 500 В, 250 мОм The IXFH21N50 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and rugged polysilicon gate cell structure. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, DC choppers, switched-mode and resonant-mode power supplies.

• International standard packages
• Unclamped inductive switching (UIS) rating
• Low package inductance — Easy to drive and to protect
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• High power surface-mount package
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

21А