Заполнитель

IXFH120N15P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 120 А

640,00 руб.

x 640,00 = 640,00
Артикул: 1134610 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней640,00руб.595,20руб.576,00руб.563,20руб.544,00руб.512,00руб.499,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.203,20руб.1.107,20руб.1.088,00руб.1.062,40руб.1.024,00руб.966,40руб.940,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.222,40руб.1.126,40руб.1.100,80руб.1.075,20руб.1.024,00руб.972,80руб.953,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней768,00руб.704,00руб.691,20руб.672,00руб.652,80руб.614,40руб.595,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.113,60руб.1.024,00руб.998,40руб.979,20руб.947,20руб.889,60руб.864,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней697,60руб.646,40руб.627,20руб.614,40руб.595,20руб.556,80руб.544,00руб.

Характеристики

IXFH120N15P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 120 А The IXFH120N15P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.

• Avalanche energy rating
• International standard packages
• Unclamped inductive switching (UIS) rating
• Low package inductance — Easy to drive and to protect
• Easy to mount
• Space saving

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

600Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

150В
Непрерывный Ток Стока

120А