Заполнитель

IXFH110N10P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 110 А

560,00 руб.

x 560,00 = 560,00
Артикул: 1134609 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней560,00руб.520,80руб.504,00руб.492,80руб.476,00руб.448,00руб.436,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.052,80руб.968,80руб.952,00руб.929,60руб.896,00руб.845,60руб.823,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.069,60руб.985,60руб.963,20руб.940,80руб.896,00руб.851,20руб.834,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней672,00руб.616,00руб.604,80руб.588,00руб.571,20руб.537,60руб.520,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней974,40руб.896,00руб.873,60руб.856,80руб.828,80руб.778,40руб.756,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней610,40руб.565,60руб.548,80руб.537,60руб.520,80руб.487,20руб.476,00руб.

Характеристики

IXFH110N10P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 110 А The IXFH110N10P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.

• Avalanche rating
• International standard packages
• Unclamped inductive switching (UIS) rating
• Low package inductance — Easy to drive and to protect
• Easy to mount
• Space saving

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

480Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

110А