10

IXDN55N120D1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал

3.050,00 руб.

x 3.050,00 = 3.050,00
Артикул: 1136051 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней3.050,00руб.2.836,50руб.2.684,00руб.2.592,50руб.2.501,00руб.2.455,25руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней3.446,50руб.3.111,00руб.3.050,00руб.2.928,00руб.2.836,50руб.2.775,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней3.721,00руб.3.355,00руб.3.263,50руб.3.172,00руб.2.989,00руб.2.806,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней3.629,50руб.3.263,50руб.3.202,50руб.3.080,50руб.2.958,50руб.2.790,75руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней5.185,00руб.4.666,50руб.4.575,00руб.4.392,00руб.4.239,50руб.3.873,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней5.154,50руб.4.636,00руб.4.538,40руб.4.361,50руб.4.209,00руб.3.843,00руб.

Характеристики

IXDN55N120D1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал IGBT Chip
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 4-Pin SOT-227BПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Массивы и Модули

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-227B
Рассеиваемая Мощность

450Вт
Полярность Транзистора

N Канал
DC Ток Коллектора

100А