Заполнитель

IXA70I1200NA, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал

2.150,00 руб.

x 2.150,00 = 2.150,00
Артикул: 1136050 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней2.150,00руб.1.999,50руб.1.892,00руб.1.827,50руб.1.763,00руб.1.730,75руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.429,50руб.2.193,00руб.2.150,00руб.2.064,00руб.1.999,50руб.1.956,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.623,00руб.2.365,00руб.2.300,50руб.2.236,00руб.2.107,00руб.1.978,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.558,50руб.2.300,50руб.2.257,50руб.2.171,50руб.2.085,50руб.1.967,25руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней3.655,00руб.3.289,50руб.3.225,00руб.3.096,00руб.2.988,50руб.2.730,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней3.633,50руб.3.268,00руб.3.199,20руб.3.074,50руб.2.967,00руб.2.709,00руб.

Характеристики

IXA70I1200NA, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Массивы и Модули

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

125 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-227B
Рассеиваемая Мощность

350Вт
Полярность Транзистора

N Канал
DC Ток Коллектора

100А