Заполнитель

IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]

31,00 руб.

x 31,00 = 31,00
Артикул: 1126419 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней31,00руб.28,83руб.27,90руб.27,28руб.25,42руб.24,80руб.24,18руб.22,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней56,11руб.51,46руб.50,53руб.49,29руб.45,88руб.44,95руб.43,71руб.39,37руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней72,54руб.66,96руб.65,41руб.63,86руб.59,52руб.57,97руб.56,73руб.50,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней37,20руб.34,10руб.33,48руб.32,55руб.30,38руб.29,76руб.28,83руб.26,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней71,61руб.66,03руб.64,48руб.62,93руб.61,07руб.58,90руб.55,80руб.50,22руб.

Характеристики

IRLZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 27А [TO-220AB]The IRLZ34NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Advanced process technology

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал