46

IRLU3915PBF, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 55 В, 14 мОм

110,00 руб.

x 110,00 = 110,00
Артикул: 1134601 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней110,00руб.102,30руб.99,00руб.96,80руб.93,50руб.88,00руб.85,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней206,80руб.190,30руб.187,00руб.182,60руб.176,00руб.166,10руб.161,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней210,10руб.193,60руб.189,20руб.184,80руб.176,00руб.167,20руб.163,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней132,00руб.121,00руб.118,80руб.115,50руб.112,20руб.105,60руб.102,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней191,40руб.176,00руб.171,60руб.168,30руб.162,80руб.152,90руб.148,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней119,90руб.111,10руб.107,80руб.105,60руб.102,30руб.95,70руб.93,50руб.

Характеристики

IRLU3915PBF, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 55 В, 14 мОм The IRLU3915PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251AA
Рассеиваемая Мощность

120Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

55В
Непрерывный Ток Стока

30а