51

IRLR8259TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 57 А, 25 В

72,00 руб.

x 72,00 = 72,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней72,00руб.66,96руб.64,80руб.63,36руб.59,04руб.57,60руб.56,16руб.51,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней130,32руб.119,52руб.117,36руб.114,48руб.106,56руб.104,40руб.101,52руб.91,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней168,48руб.155,52руб.151,92руб.148,32руб.138,24руб.134,64руб.131,76руб.118,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней86,40руб.79,20руб.77,76руб.75,60руб.70,56руб.69,12руб.66,96руб.60,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней166,32руб.153,36руб.149,76руб.146,16руб.141,84руб.136,80руб.129,60руб.116,64руб.

Характеристики

IRLR8259TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 57 А, 25 В N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы