51

IRLR7843PBF, Транзистор, N-канал 30В 160А [D-PAK]

51,00 руб.

x 51,00 = 51,00
Артикул: 1126392 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней51,00руб.47,43руб.45,90руб.44,88руб.41,82руб.40,80руб.39,78руб.36,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней92,31руб.84,66руб.83,13руб.81,09руб.75,48руб.73,95руб.71,91руб.64,77руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней119,34руб.110,16руб.107,61руб.105,06руб.97,92руб.95,37руб.93,33руб.83,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней61,20руб.56,10руб.55,08руб.53,55руб.49,98руб.48,96руб.47,43руб.42,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней117,81руб.108,63руб.106,08руб.103,53руб.100,47руб.96,90руб.91,80руб.82,62руб.

Характеристики

IRLR7843PBF, Транзистор, N-канал 30В 160А [D-PAK]The IRLR7843PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for DC motor drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

• Optimized for logic level drive
• Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
• Superior R*Q at 4.5V VGS
• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал