51

IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]

28,00 руб.

x 28,00 = 28,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней28,00руб.26,04руб.25,20руб.24,64руб.22,96руб.22,40руб.21,84руб.20,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней50,68руб.46,48руб.45,64руб.44,52руб.41,44руб.40,60руб.39,48руб.35,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней65,52руб.60,48руб.59,08руб.57,68руб.53,76руб.52,36руб.51,24руб.45,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней33,60руб.30,80руб.30,24руб.29,40руб.27,44руб.26,88руб.26,04руб.23,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней64,68руб.59,64руб.58,24руб.56,84руб.55,16руб.53,20руб.50,40руб.45,36руб.

Характеристики

IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]The IRLR3410TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Dynamic dV/dt rating

Дополнительная информация

Корпус

dpak

Структура

n-канал