11

IRLML5203TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3A logic [Micro3 /

8,00 руб.

x 8,00 = 8,00
Артикул: 1126359 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней8,00руб.7,44руб.7,20руб.7,04руб.6,56руб.6,40руб.6,24руб.5,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней14,48руб.13,28руб.13,04руб.12,72руб.11,84руб.11,60руб.11,28руб.10,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней18,72руб.17,28руб.16,88руб.16,48руб.15,36руб.14,96руб.14,64руб.13,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней9,60руб.8,80руб.8,64руб.8,40руб.7,84руб.7,68руб.7,44руб.6,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней18,48руб.17,04руб.16,64руб.16,24руб.15,76руб.15,20руб.14,40руб.12,96руб.

Характеристики

IRLML5203TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3A logic [Micro3 / The IRLML5203PBF from International Rectifier is -30V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching, as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications like battery management, portable electronics, PCMCIA cards and ideal for applications where printed circuit board space is at a premium.

• Drain to source voltage (Vds) of -30V
• Gate to source voltage of ±20V
• On resistance Rds(on) of 98mohm at Vgs -10V
• Power dissipation Pd of 1.25W at 25 C
• Continuous drain current Id of -3A at vgs -10V and 25 C
• Operating junction temperature range from -55 C to 150 C

Дополнительная информация

Корпус

micro3
Структура

p-канал