52

Транзистор IRLL3303PBF, Nкан 30В 4.6А SOT223

94,00 руб.

x 94,00 = 94,00
Артикул: 1127284 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней94,00руб.87,42руб.84,60руб.82,72руб.77,08руб.75,20руб.73,32руб.67,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней170,14руб.156,04руб.153,22руб.149,46руб.139,12руб.136,30руб.132,54руб.119,38руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней219,96руб.203,04руб.198,34руб.193,64руб.180,48руб.175,78руб.172,02руб.154,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней112,80руб.103,40руб.101,52руб.98,70руб.92,12руб.90,24руб.87,42руб.78,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней217,14руб.200,22руб.195,52руб.190,82руб.185,18руб.178,60руб.169,20руб.152,28руб.

Характеристики

IRLL3303PBF, Nкан 30В 4.6А SOT223The IRLL3303PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Dynamic dV/dt rating
• Logic level gate drive
• Ease of paralleling
• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Low static drain-to-source ON-resistance

Дополнительная информация

Корпус

sot223
Структура

n-канал