60

Транзистор IRLD024PBF

80,00 руб.

x 80,00 = 80,00
Артикул: 1128909 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней80,00руб.74,40руб.72,00руб.70,40руб.65,60руб.64,00руб.62,40руб.57,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней144,80руб.132,80руб.130,40руб.127,20руб.118,40руб.116,00руб.112,80руб.101,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней187,20руб.172,80руб.168,80руб.164,80руб.153,60руб.149,60руб.146,40руб.131,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней96,00руб.88,00руб.86,40руб.84,00руб.78,40руб.76,80руб.74,40руб.67,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней184,80руб.170,40руб.166,40руб.162,40руб.157,60руб.152,00руб.144,00руб.129,60руб.

Характеристики

IRLD024PBFThe IRLD024PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175 C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.5 А, 1.3 Вт, 0.1 Ом