52н

IRL630PBF, МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 200 В, 0.4 Ом, 5 В, 2 В

230,00 руб.

x 230,00 = 230,00
Артикул: 1134551 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней230,00руб.213,90руб.207,00руб.202,40руб.195,50руб.184,00руб.179,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней432,40руб.397,90руб.391,00руб.381,80руб.368,00руб.347,30руб.338,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней439,30руб.404,80руб.395,60руб.386,40руб.368,00руб.349,60руб.342,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней276,00руб.253,00руб.248,40руб.241,50руб.234,60руб.220,80руб.213,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней400,20руб.368,00руб.358,80руб.351,90руб.340,40руб.319,70руб.310,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней250,70руб.232,30руб.225,40руб.220,80руб.213,90руб.200,10руб.195,50руб.

Характеристики

IRL630PBF, МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 200 В, 0.4 Ом, 5 В, 2 ВThe IRL630PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

• Dynamic dV/dt rating
• -55 to 150 C Operating temperature range
• Repetitive avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Ease of paralleling
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

74Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

9А