52н

IRL510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]

21,00 руб.

x 21,00 = 21,00
Артикул: 1126766 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней21,00руб.19,53руб.18,90руб.18,48руб.17,22руб.16,80руб.16,38руб.15,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней38,01руб.34,86руб.34,23руб.33,39руб.31,08руб.30,45руб.29,61руб.26,67руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней49,14руб.45,36руб.44,31руб.43,26руб.40,32руб.39,27руб.38,43руб.34,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней25,20руб.23,10руб.22,68руб.22,05руб.20,58руб.20,16руб.19,53руб.17,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней48,51руб.44,73руб.43,68руб.42,63руб.41,37руб.39,90руб.37,80руб.34,02руб.

Характеристики

IRL510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]The IRL510PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

• Dynamic dV/dt rating
• -55 to 175 C Operating temperature range
• Repetitive avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Ease of paralleling
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал