47

IRGP4266DPBF, Транзистор IGBT, N-канал 650В 140А [TO-247AC]

904,00 руб.

x 904,00 = 904,00
Артикул: 1128488 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней904,00руб.840,72руб.813,60руб.795,52руб.768,40руб.723,20руб.705,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.699,52руб.1.563,92руб.1.536,80руб.1.500,64руб.1.446,40руб.1.365,04руб.1.328,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.726,64руб.1.591,04руб.1.554,88руб.1.518,72руб.1.446,40руб.1.374,08руб.1.346,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней1.084,80руб.994,40руб.976,32руб.949,20руб.922,08руб.867,84руб.840,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.572,96руб.1.446,40руб.1.410,24руб.1.383,12руб.1.337,92руб.1.256,56руб.1.220,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней985,36руб.913,04руб.885,92руб.867,84руб.840,72руб.786,48руб.768,40руб.

Характеристики

IRGP4266DPBF, Транзистор IGBT, N-канал 650В 140А [TO-247AC]The IRGP4266DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features high efficiency in a wide range of applications and excellent current sharing in parallel operation.

• Low VCE(ON) and switching losses
• Square RBSOA
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Rugged transient performance
• Increased reliability
• 5.5µs Short-circuit SOA