47

IRGIB15B60KD1P, БТИЗ транзистор, 19 А, 2.2 В, 52 Вт, 600 В

520,00 руб.

x 520,00 = 520,00
Артикул: 1136190 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней520,00руб.483,60руб.468,00руб.457,60руб.442,00руб.416,00руб.405,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней977,60руб.899,60руб.884,00руб.863,20руб.832,00руб.785,20руб.764,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней993,20руб.915,20руб.894,40руб.873,60руб.832,00руб.790,40руб.774,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней624,00руб.572,00руб.561,60руб.546,00руб.530,40руб.499,20руб.483,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней904,80руб.832,00руб.811,20руб.795,60руб.769,60руб.722,80руб.702,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней566,80руб.525,20руб.509,60руб.499,20руб.483,60руб.452,40руб.442,00руб.

Характеристики

IRGIB15B60KD1P, БТИЗ транзистор, 19 А, 2.2 В, 52 Вт, 600 В Single IGBT up to 20A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response which provide the user with the highest efficiency available. These devices utilise FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBTsПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

52Вт
DC Ток Коллектора

19А