47

IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В

200,00 руб.

x 200,00 = 200,00
Артикул: 1128345 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней200,00руб.186,00руб.180,00руб.176,00руб.170,00руб.160,00руб.156,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней376,00руб.346,00руб.340,00руб.332,00руб.320,00руб.302,00руб.294,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней382,00руб.352,00руб.344,00руб.336,00руб.320,00руб.304,00руб.298,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней240,00руб.220,00руб.216,00руб.210,00руб.204,00руб.192,00руб.186,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней348,00руб.320,00руб.312,00руб.306,00руб.296,00руб.278,00руб.270,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней218,00руб.202,00руб.196,00руб.192,00руб.186,00руб.174,00руб.170,00руб.

Характеристики

IRGB4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В The IRGB4620DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features high efficiency in a wide range of applications and switching frequencies, improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability.

• Low VCE (ON) and switch losses
• Square RBSOA
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Excellent current sharing in parallel operation
• Enables short-circuit protection scheme
• Environmentally-friendly
• 5µs Short-circuit SOA

Дополнительная информация

Корпус

TO-220AB
Структура

n-канал+диод