47

IRG8P60N120KDPBF, БТИЗ транзистор, N-канальный, 100 А

1.580,00 руб.

x 1.580,00 = 1.580,00
Артикул: 1136186 Категории: ,
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.580,00руб.1.469,40руб.1.390,40руб.1.343,00руб.1.295,60руб.1.271,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.785,40руб.1.611,60руб.1.580,00руб.1.516,80руб.1.469,40руб.1.437,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.927,60руб.1.738,00руб.1.690,60руб.1.643,20руб.1.548,40руб.1.453,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.880,20руб.1.690,60руб.1.659,00руб.1.595,80руб.1.532,60руб.1.445,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.686,00руб.2.417,40руб.2.370,00руб.2.275,20руб.2.196,20руб.2.006,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.670,20руб.2.401,60руб.2.351,04руб.2.259,40руб.2.180,40руб.1.990,80руб.

Характеристики

IRG8P60N120KDPBF, БТИЗ транзистор, N-канальный, 100 А IGBT Chip
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC TubeПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

1.2кВ
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247ac
Рассеиваемая Мощность

420Вт
DC Ток Коллектора

100А