Транзистор IRG7PH35UD1-EP, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

710,00 руб.

Артикул: 1136184 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	710,00руб.	660,30руб.	639,00руб.	624,80руб.	603,50руб.	568,00руб.	553,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.334,80руб.	1.228,30руб.	1.207,00руб.	1.178,60руб.	1.136,00руб.	1.072,10руб.	1.043,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.356,10руб.	1.249,60руб.	1.221,20руб.	1.192,80руб.	1.136,00руб.	1.079,20руб.	1.057,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	852,00руб.	781,00руб.	766,80руб.	745,50руб.	724,20руб.	681,60руб.	660,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.235,40руб.	1.136,00руб.	1.107,60руб.	1.086,30руб.	1.050,80руб.	986,90руб.	958,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	773,90руб.	717,10руб.	695,80руб.	681,60руб.	660,30руб.	617,70руб.	603,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRG7PH35UD1-EP, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCo-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-247AD
Рассеиваемая Мощность	179Вт
DC Ток Коллектора	50А