47

IRG4PC50UD-EPBF, БТИЗ транзистор, 55 А, 2 В, 200 Вт, 600 В

840,00 руб.

x 840,00 = 840,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней840,00руб.781,20руб.756,00руб.739,20руб.714,00руб.672,00руб.655,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.579,20руб.1.453,20руб.1.428,00руб.1.394,40руб.1.344,00руб.1.268,40руб.1.234,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.604,40руб.1.478,40руб.1.444,80руб.1.411,20руб.1.344,00руб.1.276,80руб.1.251,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней1.008,00руб.924,00руб.907,20руб.882,00руб.856,80руб.806,40руб.781,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.461,60руб.1.344,00руб.1.310,40руб.1.285,20руб.1.243,20руб.1.167,60руб.1.134,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней915,60руб.848,40руб.823,20руб.806,40руб.781,20руб.730,80руб.714,00руб.

Характеристики

IRG4PC50UD-EPBF, БТИЗ транзистор, 55 А, 2 В, 200 Вт, 600 В IRG4PC50UD-EPBF является биполярным транзистором с изолированным затвором и быстродействующим диодом с мягким восстановлением. Он оптимизирован для высоких частот от 8 до 40кГц при жестком переключении, >200кГц в резонансном режиме. БТИЗ 4-го поколения обеспечивают более плотное распределение параметров и более высокую эффективность. БТИЗ совместно с HEXFRED™ сверхбыстрыми, антипараллельными диодами с мягким восстановлением для использования в мостовых конфигурациях. Оптимизированные диоды HEXFRED™ для работы с БТИЗ. Минимизированные характеристики восстановления требуют меньше демпфера.

• Оптимизирован для конкретных условий применения
• Предназначен для замены эквивалентным ИК БТИЗ 3-го поколения промышленного стандарта

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Стандарт Корпуса Транзистора

to-247ac

Рассеиваемая Мощность

200Вт

DC Ток Коллектора

55А