IRG4PC40FDPBF, Транзистор IGBT 600V Fast 1-8kHz, [TO-247-3]

180,00 руб.

Артикул: 1128299 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	180,00руб.	167,40руб.	162,00руб.	158,40руб.	153,00руб.	144,00руб.	140,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	338,40руб.	311,40руб.	306,00руб.	298,80руб.	288,00руб.	271,80руб.	264,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	343,80руб.	316,80руб.	309,60руб.	302,40руб.	288,00руб.	273,60руб.	268,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	216,00руб.	198,00руб.	194,40руб.	189,00руб.	183,60руб.	172,80руб.	167,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	313,20руб.	288,00руб.	280,80руб.	275,40руб.	266,40руб.	250,20руб.	243,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	196,20руб.	181,80руб.	176,40руб.	172,80руб.	167,40руб.	156,60руб.	153,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRG4PC40FDPBF, Транзистор IGBT 600V Fast 1-8kHz, [TO-247-3]The IRG4PC40FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs