IRG4IBC20KDPBF, БТИЗ транзистор, N-канальный, 11.5 А

350,00 руб.

Артикул: 1136180 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	350,00руб.	325,50руб.	315,00руб.	308,00руб.	297,50руб.	280,00руб.	273,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	658,00руб.	605,50руб.	595,00руб.	581,00руб.	560,00руб.	528,50руб.	514,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	668,50руб.	616,00руб.	602,00руб.	588,00руб.	560,00руб.	532,00руб.	521,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	420,00руб.	385,00руб.	378,00руб.	367,50руб.	357,00руб.	336,00руб.	325,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	609,00руб.	560,00руб.	546,00руб.	535,50руб.	518,00руб.	486,50руб.	472,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	381,50руб.	353,50руб.	343,00руб.	336,00руб.	325,50руб.	304,50руб.	297,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRG4IBC20KDPBF, БТИЗ транзистор, N-канальный, 11.5 А Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600в
Стандарт Корпуса Транзистора	to-220fp
Рассеиваемая Мощность	34Вт
DC Ток Коллектора	11.5А