Транзистор IRG4BC30FDPBF, IGBT+ диод 600В 31А, [TO-220AB]

120,00 руб.

Артикул: 1128292 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	120,00руб.	111,60руб.	108,00руб.	105,60руб.	102,00руб.	96,00руб.	93,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	225,60руб.	207,60руб.	204,00руб.	199,20руб.	192,00руб.	181,20руб.	176,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	229,20руб.	211,20руб.	206,40руб.	201,60руб.	192,00руб.	182,40руб.	178,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	144,00руб.	132,00руб.	129,60руб.	126,00руб.	122,40руб.	115,20руб.	111,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	208,80руб.	192,00руб.	187,20руб.	183,60руб.	177,60руб.	166,80руб.	162,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	130,80руб.	121,20руб.	117,60руб.	115,20руб.	111,60руб.	104,40руб.	102,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRG4BC30FDPBF, IGBT+ диод 600В 31А, [TO-220AB]The IRG4BC30FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs