Транзистор IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]

93,00 руб.

Артикул: 1128290 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	93,00руб.	86,49руб.	83,70руб.	81,84руб.	76,26руб.	74,40руб.	72,54руб.	66,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	168,33руб.	154,38руб.	151,59руб.	147,87руб.	137,64руб.	134,85руб.	131,13руб.	118,11руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	217,62руб.	200,88руб.	196,23руб.	191,58руб.	178,56руб.	173,91руб.	170,19руб.	152,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	111,60руб.	102,30руб.	100,44руб.	97,65руб.	91,14руб.	89,28руб.	86,49руб.	78,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	214,83руб.	198,09руб.	193,44руб.	188,79руб.	183,21руб.	176,70руб.	167,40руб.	150,66руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]The IRG4BC20UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for high operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs