IRG4BC20FDPBF, Транзистор IGBT+ диод 600В 16А, [TO-220AB]

86,00 руб.

Артикул: 1128288 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	86,00руб.	79,98руб.	77,40руб.	75,68руб.	70,52руб.	68,80руб.	67,08руб.	61,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	155,66руб.	142,76руб.	140,18руб.	136,74руб.	127,28руб.	124,70руб.	121,26руб.	109,22руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	201,24руб.	185,76руб.	181,46руб.	177,16руб.	165,12руб.	160,82руб.	157,38руб.	141,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	103,20руб.	94,60руб.	92,88руб.	90,30руб.	84,28руб.	82,56руб.	79,98руб.	72,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	198,66руб.	183,18руб.	178,88руб.	174,58руб.	169,42руб.	163,40руб.	154,80руб.	139,32руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRG4BC20FDPBF, Транзистор IGBT+ диод 600В 16А, [TO-220AB]The IRG4BC20FDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for medium operating frequencies (1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode). It feature generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs