Характеристики
IRFU120NPBFThe IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
• 175 C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Год: 2015, корпус: I-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.7 А, 42 Вт, 0.27 Ом