16

IRFS7534TRL7PP, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал

202,00 руб.

x 202,00 = 202,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней202,00руб.187,86руб.181,80руб.177,76руб.171,70руб.161,60руб.157,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней379,76руб.349,46руб.343,40руб.335,32руб.323,20руб.305,02руб.296,94руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней385,82руб.355,52руб.347,44руб.339,36руб.323,20руб.307,04руб.300,98руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней242,40руб.222,20руб.218,16руб.212,10руб.206,04руб.193,92руб.187,86руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней351,48руб.323,20руб.315,12руб.309,06руб.298,96руб.280,78руб.272,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней220,18руб.204,02руб.197,96руб.193,92руб.187,86руб.175,74руб.171,70руб.

Характеристики

IRFS7534TRL7PP, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал The IRFS7534TRL7PP is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

d2pak

Структура

n-канал