16

IRFS7530PBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 60 В

410,00 руб.

x 410,00 = 410,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней410,00руб.381,30руб.369,00руб.360,80руб.348,50руб.328,00руб.319,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней770,80руб.709,30руб.697,00руб.680,60руб.656,00руб.619,10руб.602,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней783,10руб.721,60руб.705,20руб.688,80руб.656,00руб.623,20руб.610,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней492,00руб.451,00руб.442,80руб.430,50руб.418,20руб.393,60руб.381,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней713,40руб.656,00руб.639,60руб.627,30руб.606,80руб.569,90руб.553,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней446,90руб.414,10руб.401,80руб.393,60руб.381,30руб.356,70руб.348,50руб.

Характеристики

IRFS7530PBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 60 В The IRFS7530PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB

Рассеиваемая Мощность

375Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

195А