IRFS7530PBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 60 В

410,00 руб.

Артикул: 1134506 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	410,00руб.	381,30руб.	369,00руб.	360,80руб.	348,50руб.	328,00руб.	319,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	770,80руб.	709,30руб.	697,00руб.	680,60руб.	656,00руб.	619,10руб.	602,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	783,10руб.	721,60руб.	705,20руб.	688,80руб.	656,00руб.	623,20руб.	610,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	492,00руб.	451,00руб.	442,80руб.	430,50руб.	418,20руб.	393,60руб.	381,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	713,40руб.	656,00руб.	639,60руб.	627,30руб.	606,80руб.	569,90руб.	553,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	446,90руб.	414,10руб.	401,80руб.	393,60руб.	381,30руб.	356,70руб.	348,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFS7530PBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 60 В The IRFS7530PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263AB
Рассеиваемая Мощность	375Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	195А