IRFS7434PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 40В

220,00 руб.

Артикул: 1127225 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	220,00руб.	204,60руб.	198,00руб.	193,60руб.	187,00руб.	176,00руб.	171,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	413,60руб.	380,60руб.	374,00руб.	365,20руб.	352,00руб.	332,20руб.	323,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	420,20руб.	387,20руб.	378,40руб.	369,60руб.	352,00руб.	334,40руб.	327,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	264,00руб.	242,00руб.	237,60руб.	231,00руб.	224,40руб.	211,20руб.	204,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	382,80руб.	352,00руб.	343,20руб.	336,60руб.	325,60руб.	305,80руб.	297,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	239,80руб.	222,20руб.	215,60руб.	211,20руб.	204,60руб.	191,40руб.	187,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFS7434PBF, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал, 40В The IRFS7434PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability