Заполнитель

IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]

29,00 руб.

x 29,00 = 29,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней29,00руб.26,97руб.26,10руб.25,52руб.23,78руб.23,20руб.22,62руб.20,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней52,49руб.48,14руб.47,27руб.46,11руб.42,92руб.42,05руб.40,89руб.36,83руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней67,86руб.62,64руб.61,19руб.59,74руб.55,68руб.54,23руб.53,07руб.47,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней34,80руб.31,90руб.31,32руб.30,45руб.28,42руб.27,84руб.26,97руб.24,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней66,99руб.61,77руб.60,32руб.58,87руб.57,13руб.55,10руб.52,20руб.46,98руб.

Характеристики

IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]The IRFR5305TRPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Ultra low on-resistance
• Advanced process technology
• Fully avalanche rated

Дополнительная информация

Корпус

dpak

Структура

p-канал