IRFR3910PBF, Транзистор, N-канал 100В 15А [D-PAK]

30,00 руб.

Артикул: 1126217 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	30,00руб.	27,90руб.	27,00руб.	26,40руб.	24,60руб.	24,00руб.	23,40руб.	21,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	54,30руб.	49,80руб.	48,90руб.	47,70руб.	44,40руб.	43,50руб.	42,30руб.	38,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	70,20руб.	64,80руб.	63,30руб.	61,80руб.	57,60руб.	56,10руб.	54,90руб.	49,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	36,00руб.	33,00руб.	32,40руб.	31,50руб.	29,40руб.	28,80руб.	27,90руб.	25,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	69,30руб.	63,90руб.	62,40руб.	60,90руб.	59,10руб.	57,00руб.	54,00руб.	48,60руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFR3910PBF, Транзистор, N-канал 100В 15А [D-PAK]The IRFR3910PBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating