Заполнитель

IRFP7530PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канл, 60В, 195А

349,00 руб.

x 349,00 = 349,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней349,00руб.324,57руб.314,10руб.307,12руб.296,65руб.279,20руб.272,22руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней656,12руб.603,77руб.593,30руб.579,34руб.558,40руб.526,99руб.513,03руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней666,59руб.614,24руб.600,28руб.586,32руб.558,40руб.530,48руб.520,01руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней418,80руб.383,90руб.376,92руб.366,45руб.355,98руб.335,04руб.324,57руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней607,26руб.558,40руб.544,44руб.533,97руб.516,52руб.485,11руб.471,15руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней380,41руб.352,49руб.342,02руб.335,04руб.324,57руб.303,63руб.296,65руб.

Характеристики

IRFP7530PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канл, 60В, 195А The IRFP7530PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

to247ac

Структура

n-канал