7

IRFP4768PBF, Транзистор, N-канал 250В 83А [TO-247AC]

380,00 руб.

x 380,00 = 380,00
Артикул: 1126186 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней380,00руб.353,40руб.342,00руб.334,40руб.323,00руб.304,00руб.296,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней714,40руб.657,40руб.646,00руб.630,80руб.608,00руб.573,80руб.558,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней725,80руб.668,80руб.653,60руб.638,40руб.608,00руб.577,60руб.566,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней456,00руб.418,00руб.410,40руб.399,00руб.387,60руб.364,80руб.353,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней661,20руб.608,00руб.592,80руб.581,40руб.562,40руб.528,20руб.513,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней414,20руб.383,80руб.372,40руб.364,80руб.353,40руб.330,60руб.323,00руб.

Характеристики

IRFP4768PBF, Транзистор, N-канал 250В 83А [TO-247AC]The IRFP4768PBF is a 250V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

to247ac
Структура

n-канал